ساخت ممریستوری با قابلیت تحمل دمای ۳۴۰ درجه سانتیگراد

ساخت ممریستوری با قابلیت تحمل دمای ۳۴۰ درجه سانتیگراد


زمان مطالعه : 2 دقیقه
کد خبر : 32260
محققان با استفاده از گرافن و دی‌سولفید مولیبدن موفق به ساخت ممریستوری شدند که در دمای بالا نیز کار می‌کند. این ممریستور قابلیت تحمل دمای 340 درجه سانتیگراد را نیز داراست.

 

محققان با استفاده از گرافن و دی‌سولفید مولیبدن موفق به ساخت ممریستوری شدند که در دمای بالا نیز کار می‌کند. این ممریستور قابلیت تحمل دمای 340 درجه سانتیگراد را نیز داراست.
به گزارش مرکز ارتباطات و اطلاع رسانی معاونت علمی و فناوری ریاست جمهوری، یک گروه تحقیقاتی از  پژوهشگران چین و آمریکا موفق به ساخت ممریستوری شدند که در برابر دمای بالا مقاوم است. این ممریستور می‌تواند بخشی از چالش موجود در مسیر توسعه ادوات الکترونیکی را رفع کند.
این ممریستور ساختاری ساندویچی داشته و از دو لایه گرافن و یک لایه دی‌سولفید مولیبدن بهره‌‌مند است. دی‌سولفید مولیبدن میان دو لایه گرافن قرار گرفته است. این ممریستور دارای پایداری حرارتی بالا بوده به‌طوری که می‌تواند در دمای بالا تا 340 درجه سانتیگراد کار کند.
ممریستورها گزینه مناسبی برای استفاده در ذخیره‌سازی اطلاعات و محاسبات نرومورفیک هستند.
میائو فنگ از محققان دانشگاه نانجینگ که رهبر این گروه تحقیقاتی است می‌گوید: «بیشتر قطعاتی که در تلفن‌های همراه و کامپیوترها به‌کار می‌روند قابلیت کارکرد در دمای زیر 125 درجه سانتیگراد را دارا هستند بنابراین با افزایش دما به بالای این حد، عملکرد دستگاه دچار مشکل شده و داده‌ها از دست می‌روند.»
بنابراین با وجود چنین محدودیتی‌، کاربرد ممریستورها در صنعت هوافضا، نفت، گاز و نظامی با محدودیت روبرو می‌شود.
این محقق دانشگاه نانجینگ اظهار کرد: به صورت معمول، ممریستورها در شرایط دمای بالا کار می‌کنند و نیاز به سامانه خنک‌کننده وجود دارد تا عملکرد آنها به‌خوبی انجام شود اما خنک‌سازی معمولا با هزینه بیشتر و مصرف انرژی بالاتر همراه است. در نهایت به دلیل این نوع عملکرد، اعتماد به کارکرد این نوع ممریستورها در سطح پایینی است.
وی همچنین بیان کرد که این پروژه هنوز در مرحله آزمایشگاهی بوده اما محققان برای ثبت پتنت مربوط به آن اقدام کرده‌اند.

ممریستورها می‌تواند در ساخت مدارات متجمع یا کامپیوترها مورد استفاده قرار گیرد. ممریستورها برخلاف حافظه‌های فعلی مورد استفاده در صنعت الکترونیک، می‌توانند پایدار باشند و حتی با از دست دادن انرژی، اطلاعات خود را حفظ کنند.
حافظه RAM فعلی، بسیار سریع هستند اما در صورتی که انرژی خود را از دست بدهند اطلاعات آنها پاک می‌شود. حافظه‌های فلش برای ذخیره‌سازی اطلاعات نیاز به انرژی ندارند اما سرعت کار آنها بسیار پایین است. ممریستورها از هر دو مزیت برخوردار هستند، هم سریع بوده و هم بسیار قابل اعتماد هستند.
نتایج این پروژه در قالب مقاله‌ای در نشریه Nature Electronic به چاپ رسیده است.
فناوری‌های همگرا به عنوان یکی از اولویت های معاونت علمی و فناوری ریاست جمهوری مطرح است در همین راستا نیز از ابتدای سال ۹۴ برنامه ترویج و آموزش فناوری‌های همگرا در سایت فناوری‌های همگرا به نشانی nbic.isti.ir آغاز شده است. همچنین ارتقای نقش‌آفرینی حوزه‌های مختلف فناوری برای دستیابی به محصولات نوظهور و با اثرات اقتصادی و اجتماعی بالا، یکی از اقداماتی است که مرکز راهبردی فناوری های همگرا در معاونت علمی در راستای آن فعالیت می کند.
انتهای پیام/25

تصاویر

نظرات شما
تهران، میدان ونک، خیابان ملاصدرا، خیابان شیخ بهایی شمالی،
خیابان لادن، پلاک 20 (کد پستی : 1991745681)
تلفن : 83530
ایمیل : pr@isti.ir
بیشتر بخوانیم