محققان با استفاده از اثر خاصیت مغناطیسی بر یک قطعه ضخیم کامپوزیت نیکل و پلاتین، موفق به تقویت 10 برابر یا بیشتر ولتاژ خروجی شدند.

به گزارش مرکز روابط عمومی و اطلاع‌رسانی معاونت علمی و فناوری ریاست جمهوری، مهندسان دانشگاه ایالتی اوهایو با استفاده از اثر خاصیت مغناطیسی بر یک قطعه ضخیم کامپوزیت نیکل و پلاتین، موفق به تقویت 10 برابر یا بیشتر ولتاژ خروجی شدند. تحقیقات در زمینه ترموالکتریک حالت جامد یا مولدهای ترموالکتریک با هدف به دام انداختن گرمای اتلافی دستگاه‌های الکتریکی و مکانیکی درون موادی با طراحی خاص، حوزه‌ای در حال رشد به شمار می‌رود. از آنجا که بیش از نیمی از انرژی مصرف شده، هدر رفته و به ‌صورت گرما وارد اتمسفر می‌شود بنابراین ترموالکتریک حالت جامد می‌تواند به بازیابی مقداری از این انرژی، کمک کند. البته این وسایل دارای اجزای متحرک نبوده، فرسوده نمی‌شوند و نیازی به تعمیر و نگهداری ندارند اما تا به امروز، بیش از حد گران بوده و کارایی کافی را برای استفاده گسترده نداشتند. 

همچنین در سال 2012، مطالعات این گروه تحقیقاتی از دانشگاه ایالتی اوهایو، نشان داد که میدان مغناطیسی می‌تواند اثر سیبک را تقویت کرده و به نوبه خود موجب افزایش ولتاژ خروجی فیلم‌های نازک ساخته شده از مواد نانو ساختار، از میکروولت به میلی‌ولت شود. 

با وجود اینکه در پیشرفت مطالعاتی اخیر، محققان با استفاده از کامپوزیت نیکل- پلاتین موفق به افزایش ولتاژ 10 یا 100 برابر در مقیاس نانوولت شدند اما آنها بر این باورند اگرچه این افزایش ولتاژ کمتر از مطالعات اولیه بوده اما در یک دستگاه بسیار ساده که هیچ نیازی به ساخت در اندازه نانو نداشته، ایجاد شده و می‌توان آن را برای استفاده صنعتی افزایش مقیاس داد.

گفتنی است، معاونت علمی و فناوری ریاست جمهوری با هدف توسعه مواد و ساخت پیشرفته اقدام به راه اندازی ستاد توسعه فناوری‌های مواد و ساخت پیشرفته کرده است تا فناوری‌های مرتبط با این حوزه بیش از پیش در کشور ارتقاء یابد.

انتهای پیام/25