چالش «ایجاد خواص خودتمیزشوندگی و ضدالکتریسیته ساکن در پنل‌های خورشیدی» آغاز شد

چالش «ایجاد خواص خودتمیزشوندگی و ضدالکتریسیته ساکن در پنل‌های خورشیدی» آغاز شد


زمان مطالعه : 2 دقیقه
کد خبر : 41659
ستاد توسعه فناوری نانو معاونت علمی از آغاز ثبت‏‌نام در مرحله نخست چالش «ایجاد خواص خودتمیزشوندگی و ضدالکتریسیته ساکن در سطح پنل‌های خورشیدی» خبر داد.


ستاد توسعه فناوری نانو معاونت علمی از آغاز ثبت‏‌نام در مرحله نخست چالش «ایجاد خواص خودتمیزشوندگی و ضدالکتریسیته ساکن در سطح پنل‌های خورشیدی» خبر داد.
به گزارش مرکز ارتباطات و اطلاع رسانی معاونت علمی و فناوری ریاست جمهوری، در ادامه برگزاری چالش‌های نوآوری و فناوری نانو با هدف توسعه راهکارهای حل مشکلات صنعتی و رفع نیازهای فناورانه کشور، هفدهمین دوره از چالش‌های نوآوری و فناوری نانو در  قالب آی‌چلنج  آغاز شد.
چالش نوآوری «ایجاد خواص خودتمیزشوندگی و ضدالکتریسیته ساکن در سطح پنل‌های خورشیدی» از سوی کارگروه صنعت و بازار ستاد توسعه فناوری نانو معاونت علمی و با همکاری «شرکت نوین تیسفون» برگزار می‌شود. این چالش به‌دنبال توسعه راهکارهایی عملی مبتنی بر فناوری نانو برای ایجاد خواص خودتمیزشوندگی و ضدالکتریسیته ساکن در صفحات خورشیدی در داخل کشور است.
امروزه استفاده از نیروگاه‌های خورشیدی به عنوان یکی از منابع اصلی تولید انرژی از سوی کشورهای مختلفی مورد توجه قرار گرفته و سرمایه‌گذاری‌ها در این راستا رو به گسترش است. در این میان یکی از چالش‌های به‌کارگیری سلول‌های خورشیدی به‌ویژه در نیروگاه‌ها، مسأله آلودگی سطح پنل‌ها به علل مختلف نظیر گردوغبار است که موجب کاهش کارایی و بازده عملکردی آن‌ها می‌شود.
از طرفی تمیزکردن سطح پنل‌های خورشیدی نیز زمان‌بر و هزینه‌بر است و مواد شوینده مورد استفاده، می‌توانند به‌سادگی موجب خوردگی و آسیب سطح فریم سلول‌ها و پنل شوند. از جمله راهکارهای غلبه بر این چالش استفاده از پوشش‌هایی با ویژگی خودتمیزشونده و ضدالکتریسیته ساکن برای جلوگیری از چسبندگی و ایجاد آلودگی‌ها در سطح این صفحات خورشیدی است.
این پوشش‌ها مانع از نشست و شکل‌‎گیری لایه‌های فشرده جرم، لکه و گردوخاک در سطح پنل‌های خورشیدی شده، نیاز به شست‌وشوی پنل‌ها در فواصل زمانی کوتاه را از بین برده و از طرفی نیاز به استفاده از شوینده‌های قوی را برای پاک‌کردن سطح پنل‌ها از بین می‌برد.
بنابر اعلام دبیرخانه چالش‌های فناوری و نوآوری نانو، فرآیند ثبت‌‏نام در مرحله نخست چالش پیش‏رو تا 30 بهمن‌ماه ادامه خواهد داشت و شرکت‌های دانش‌بنیان، دانشجویان و اعضای هیأت علمی دانشگاه‌ها و پژوهشگاه‌ها و سایر پژوهشگران و فناوران علاقه‌مند تا این تاریخ فرصت دارند طرح مفهومی اولیه خود را از طریق سایت ichallenge.ir به دبیرخانه چالش ارسال کنند.
طرح‌های دریافتی در کمیته داوران ارزیابی شده و در نهایت، شرکت‌کنندگان برتر (اعم از فرد یا گروه) به مرحله دوم راه خواهند یافت. در جریان مرحله دوم تا سقف 50 میلیون ریال تسهیلات حمایتی شامل کمک هزینه نقدی و اعتبار استفاده از خدمات شبکه آزمایشگاهی فناوری نانو به افراد منتخب در مرحله قبل داده می‌شود.
برنده نهایی این چالش علاوه بر دریافت جایزه 200 میلیون ریالی و تسهیلات حمایتی ویژه ‌از سوی ستاد توسعه فناوری نانو معاونت علمی برای تجاری‌سازی طرح خود، فرصت همکاری برای توسعه فناوری و تجاری‌سازی طرح تا تولید انبوه را با شرکت نوین تیسفون خواهد داشت.
علاقه‌مندان می‌توانند برای کسب اطلاعات بیشتر در خصوص جزئیات چالش (نحوه ثبت‌نام، شرایط ارسال راه‌حل، جوایز و...) به نشانی www.ichallenge.ir مراجعه کنند.
پایان پیام/29

تصاویر

نظرات شما
تهران، میدان ونک، خیابان ملاصدرا، خیابان شیخ بهایی شمالی،
خیابان لادن، پلاک 20 (کد پستی : 1991745681)
تلفن : 83530
ایمیل : pr@isti.ir
بیشتر بخوانیم